Teori CMOS

Sebuah struktur MOS (Metal Oxide Silicon) dibuat dari beberapa lapisan dari konduktor, isolator, dan material pembentuk transistor. Setelah melalui beberapa langkah pembuatan, struktur tersebut mempunyai beberapa level seperti difusi, polysilocon, metal (logam) yang terpisah oleh lapisan isolator. Teknologi CMOS mempunyai 2 tipe transistor; Transistor n-type(nMOS) dan transistor p-type(pMOS). Kedua transistor ini difabrikasi dalam silicon dengan menggunakan silikon yang didoping negative yang mempunyai banyak elektron (electron discharged) dan silikon yang didoping secara positive yang banyak pada holes(electron and positive discharged). Bentuk fisik dari kedua transistor tersebut dapat dilihat pada gambar berikut :



Gambar 1. Bentuk Fisik p-transitor dan n-transitor

Untuk n-transistor, strukturnya terdiri dari silikon p-type yang memisahkan 2 difusi area dari silikon n-type. Area yang dipisahkan oleh n regions dibentuk menjadi satu tumpukan yang terdiri dari sebuah insulator dan electrode konduktor yang dinamakan GATE (transistor jenis p juga memiliki struktur yang sama).

Transistor MOS juga memiliki 2 koneksi tambahan yaitu DRAIN dan SOURCE. Kedua koneksi tersebut dibentuk oleh region n yang terdifusi(untuk n-transistor) dan region p yang terdifusi (untuk p-transistor).

GATE adalah sebuah input kontrol. Gate menyebabkan aliran arus antara DRAIN dan SOURCE. Dalam hal ini, DRAIN dan SOURCE dapat dianalogikan sebagai sebuag terminal switch.

Download software desain CMOS dengan microwind